પેકિંગ યુનિવર્સિટી ટ્રાંઝિસ્ટર ઇન્ટેલ, ટીએસએમસી અને સેમસંગની ટોચની સિલિકોન ચિપફુલ ગેટ કવરેજને આગળ વધારી શકે છે ગતિને વેગ આપે છે અને બ્રેકથ્રુ ચાઇનીઝ ટ્રાંઝિસ્ટર ડિઝાઇનચિનામાં energy ર્જાના ઉપયોગને આ સિલિકોન-મુક્ત ટ્રાંઝિસ્ટર નવીનતા સાથે ફક્ત યુએસ ચિપ ટેક પર કૂદકો લગાવશે
પેકિંગ યુનિવર્સિટીના ચાઇનીઝ સંશોધનકારોએ જાહેરાત કરી છે કે ટ્રાંઝિસ્ટર ડિઝાઇનમાં પ્રગતિ જેવું લાગે છે, જેનું વ્યવસાયિકકરણ કરવામાં આવે તો માઇક્રોપ્રોસેસર વિકાસની દિશામાં નાટકીય રીતે સ્થાનાંતરિત થઈ શકે છે.
ટીમે બે-પરિમાણીય સામગ્રી, બિસ્મથ ઓક્સિસિલેનાઇડના આધારે સિલિકોન-મુક્ત ટ્રાંઝિસ્ટર બનાવ્યું.
નવીનતા ગેટ-ઓલ-આરાઉન્ડ (ગેફેટ) આર્કિટેક્ચર પર ટકી છે, જ્યાં ટ્રાંઝિસ્ટરનો ગેટ સ્રોતની આસપાસ સંપૂર્ણપણે લપેટી લે છે. પરંપરાગત ફિનફેટ ડિઝાઇન, જે વર્તમાન સિલિકોન-આધારિત પ્રોસેસરો પર પ્રભુત્વ ધરાવે છે, ફક્ત આંશિક ગેટ કવરેજને મંજૂરી આપે છે. આ પૂર્ણ-રેપ સ્ટ્રક્ચર ગેટ અને ચેનલ વચ્ચેના સંપર્ક ક્ષેત્રમાં વધારો કરે છે, energy ર્જા લિકેજ ઘટાડીને અને વધુ સારા વર્તમાન નિયંત્રણને સક્ષમ કરીને કામગીરીમાં સુધારો કરે છે.
તમને ગમે છે
શું આ સિલિકોન ચિપ્સના અંતને ચિહ્નિત કરી શકે છે?
નેચર મટિરીયલ્સમાં પ્રકાશિત, કાગળ સૂચવે છે કે નવું 2 ડી ગેફેટ ગતિ અને energy ર્જા કાર્યક્ષમતા બંનેમાં સિલિકોન ટ્રાંઝિસ્ટરને ટકી શકે છે અથવા તો વટાવી શકે છે.
સંશોધનકારો દાવો કરે છે કે તેમના 2 ડી ટ્રાંઝિસ્ટર 10% ઓછી શક્તિનો ઉપયોગ કરતી વખતે ઇન્ટેલની નવીનતમ 3nm ચિપ્સ કરતા 40% ઝડપથી ગતિ પ્રાપ્ત કરે છે, પ્રદર્શન જે તેને ટીએસએમસી અને સેમસંગના વર્તમાન પ્રોસેસરોની આગળ રાખશે.
પરંપરાગત ડિઝાઇનમાં આંશિક ગેટ કવરેજ વર્તમાન નિયંત્રણને મર્યાદિત કરે છે અને energy ર્જાની ખોટમાં વધારો કરે છે. નવી પૂર્ણ-ગેટ સ્ટ્રક્ચર આ મુદ્દાઓને ધ્યાનમાં લે છે, પરિણામે ઉચ્ચ વોલ્ટેજ ગેઇન અને અલ્ટ્રા-લો પાવર વપરાશ થાય છે. ટીમે પહેલેથી જ નવી ડિઝાઇનનો ઉપયોગ કરીને નાના તર્કશાસ્ત્ર એકમો બનાવ્યા છે.
પેકિંગ યુનિવર્સિટીએ જણાવ્યું હતું કે, “તે અત્યાર સુધીની સૌથી ઝડપી, સૌથી કાર્યક્ષમ ટ્રાંઝિસ્ટર છે.” આ દાવાઓ અગ્રણી વ્યાપારી ચિપ્સ માટે ઉપયોગમાં લેવામાં આવતી સમાન પરિસ્થિતિઓ હેઠળ હાથ ધરવામાં આવેલા પરીક્ષણો દ્વારા સપોર્ટેડ છે.
“જો હાલની સામગ્રી પર આધારિત ચિપ નવીનતાઓને ‘શ shortc ર્ટકટ’ માનવામાં આવે છે, તો પછી 2 ડી મટિરિયલ-આધારિત ટ્રાંઝિસ્ટર્સનો અમારો વિકાસ ‘બદલાતી લેન’ સમાન છે,” પ્રોજેક્ટના મુખ્ય વૈજ્ .ાનિક પ્રોફેસર પેંગ હેલિને જણાવ્યું હતું.
ફિનફેટ્સની ical ભી રચનાઓથી વિપરીત, નવી ડિઝાઇન ઇન્ટરવોવન પુલ જેવું લાગે છે. આ આર્કિટેક્ચરલ શિફ્ટ સિલિકોન ટેકનોલોજી દ્વારા સામનો કરવામાં આવતી લઘુચિત્ર મર્યાદાને દૂર કરી શકે છે, ખાસ કરીને કારણ કે ઉદ્યોગ 3nm થ્રેશોલ્ડથી નીચે દબાણ કરે છે. તે ઝડપી લેપટોપને પણ ફાયદો કરી શકે છે જેને આવા કોમ્પેક્ટ ચિપ્સની જરૂર હોય છે.
ટીમે બે નવી બિસ્મથ આધારિત સામગ્રી વિકસાવી: સેમિકન્ડક્ટર તરીકે બાયઓ અને ગેટ ડાઇલેક્ટ્રિક તરીકે બાયસીઓ.
આ સામગ્રીઓ ઓછી ઇન્ટરફેસ energy ર્જા દર્શાવે છે, ખામીઓ ઘટાડે છે અને ઇલેક્ટ્રોન સ્કેટરિંગ.
પેંગે સમજાવ્યું, “આ ઇલેક્ટ્રોનને સરળ પાઇપ દ્વારા પાણીની જેમ લગભગ કોઈ પ્રતિકાર સાથે વહેવા દે છે.”
પ્રદર્શન પરિણામોને ડેન્સિટી ફંક્શનલ થિયરી (ડીએફટી) ગણતરીઓ દ્વારા સમર્થન આપવામાં આવે છે અને પીકેયુમાં ઉચ્ચ-ચોકસાઇવાળા ફેબ્રિકેશન પ્લેટફોર્મનો ઉપયોગ કરીને શારીરિક પરીક્ષણો દ્વારા માન્ય કરવામાં આવે છે.
સંશોધનકારો દાવો કરે છે કે વર્તમાન સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ફ્રાસ્ટ્રક્ચરનો ઉપયોગ કરીને, ભવિષ્યના એકીકરણને સરળ બનાવતા ટ્રાંઝિસ્ટરનું ઉત્પાદન કરી શકાય છે.
